Oficina de Microfabricação

Oficina de Microfabricação:
Construção de CI's MOS
Código da disciplina: FEE 107

Professores responsáveis: Jacobus W. Swart , Ioshiaki Doi , José Alexandre Diniz

Local: CCS
Carga Horária: 80 horas
Período de Matrícula: até 04/01/2006
Data do curso: de 06/02/2006 a 18/02/2006
Valor: R$ 2.040,93 com desconto acadêmico de 50% (para alunos e professores sem apoio financeiro)
Inscrições: Consulte no site da Extecamp
Objetivo do curso: Oferecer ao aluno conhecimento e experiência de laboratório sobre:

etapas de processos de microfabricação
integração de processos para fabricar transistores e CI´s MOS
caracterização de etapas de processos e materiais
caracterização de dispositivos MOS

A Quem se Destina:

Alunos de graduação de 3º a 5º ano, de engenharia, física e química
Alunos de pós-graduação, de engenharia, física e química.
Professores universitários, de ensino técnico e de 2º grau.
Profissionais de indústrias e centros de pesquisa.

Ementa Resumida: Revisão de teoria de semicondutores e de dispositivos MOS; descrição dos processos de fabricação, projeto de dispositivos e blocos básicos de CI´s MOS, fabricação de um chip teste contendo dispositivos isolados e um circuito básico, medidas de caracterização de materiais, processos, dispositivos e do circuito fabricado.

Sumário:

Planejamento do Curso:

Dia 1^a Semana 2^a Semana

1^o Teoria: Introdução: revisão de semicondutores e dispositivos MOS Laboratório: Visita ao Laboratório Medidas na lâmina (tipo, resistividade., espessura) Limpeza das lâminas Oxidação térmica de campo Teoria: Modelo de oxidação Laboratório: Medida de espessura de oxido Laboratório: Limpeza de lâminas Oxidação de porta Fotogravação, máscara de contatos Etching do óxido Medida de t_ox, RS, XJ Teoria: Conceitos de cargas em SiO2/Si Conceitos de projeto de CI´s.

2^o Teoria: Integração de processos Conceitos de fotogravação Laboratório: Fotogravação, máscara de S/D Etching do óxido Medidas de dispositivos II Laboratório: Limpeza de lâminas Evaporação de Al Fotogravação, máscara de metal Etching de Al Teoria: Conceitos de evaporação e sputtering Laboratório: Simulação SPICE, projeto de blocos. CAD de Layout

3^o Laboratório: Limpeza de lâminas Implantação de íons, S/D e costas Teoria: Conceitos de difusão e de implantação de íons. Conceitos de etching úmido e seco Laboratório: Medidas de dispositivos II Simulação de processos e projeto. Laboratório: Limpeza de lâminas Evaporação de Al nas costas Sinterização dos contatos Teoria: Evolução da microeletrônica

4^o Laboratório: Limpeza de lâminas Recozimento e oxidação Medida de tox., RS, XJ Medidas de dispositivos II Simulação de processos e projeto. Laboratório: Medidas dos dispositivos de circuito fabricados.

5^o Laboratório: Fotogravação, máscara de porta Etching do óxido Visita ao LPD/IFGW Teoria: Conceitos de CVD Conceitos de projeto de CI´s. Visita: Outros laboratórios. Laboratório: Encapsulamento Relatórios.

Livro Texto: "Oficina de Microfabricação: Projeto e Construção de CI´s MOS."

O download pode ser feito AQUI

O download das apresentações pode ser feito AQUI

Links Interessantes : http://www.ee.ed.ac.uk/profiles/research/STR/emf/tchip.html

Contatos

Endereço:
Universidade Estadual de Campinas
Cidade Universitária "Zeferino Vaz"
Rua João Pandiá Calógeras, n^o 90
Caixa Postal 6061
Cep 13.083-870
Campinas-SP Brasil
Telefones do CCS: (19) 3788 7888 / 3788.4873 / 3788.7053
Telefones da Escola de Extensão: (19) 3788 4646 / 3788 4648

Dia	1^a Semana	2^a Semana
1^o	Teoria: Introdução: revisão de semicondutores e dispositivos MOS Laboratório: Visita ao Laboratório Medidas na lâmina (tipo, resistividade., espessura) Limpeza das lâminas Oxidação térmica de campo Teoria: Modelo de oxidação Laboratório: Medida de espessura de oxido	Laboratório: Limpeza de lâminas Oxidação de porta Fotogravação, máscara de contatos Etching do óxido Medida de t_ox, RS, XJ Teoria: Conceitos de cargas em SiO2/Si Conceitos de projeto de CI´s.
2^o	Teoria: Integração de processos Conceitos de fotogravação Laboratório: Fotogravação, máscara de S/D Etching do óxido Medidas de dispositivos II	Laboratório: Limpeza de lâminas Evaporação de Al Fotogravação, máscara de metal Etching de Al Teoria: Conceitos de evaporação e sputtering Laboratório: Simulação SPICE, projeto de blocos. CAD de Layout
3^o	Laboratório: Limpeza de lâminas Implantação de íons, S/D e costas Teoria: Conceitos de difusão e de implantação de íons. Conceitos de etching úmido e seco Laboratório: Medidas de dispositivos II Simulação de processos e projeto.	Laboratório: Limpeza de lâminas Evaporação de Al nas costas Sinterização dos contatos Teoria: Evolução da microeletrônica
4^o	Laboratório: Limpeza de lâminas Recozimento e oxidação Medida de tox., RS, XJ Medidas de dispositivos II Simulação de processos e projeto.	Laboratório: Medidas dos dispositivos de circuito fabricados.
5^o	Laboratório: Fotogravação, máscara de porta Etching do óxido Visita ao LPD/IFGW Teoria: Conceitos de CVD Conceitos de projeto de CI´s.	Visita: Outros laboratórios. Laboratório: Encapsulamento Relatórios.