Dual FIB: FEI Nanolab 200: The FIB-SEM system is regarded as an essential tool for manufacturing the new generations of MEMS and NEMS (Nano and Micro Electrical Mechanical Systems), essentially this system allows you to record patterns on the surface directly, without the use of masks, allowing rapid prototyping of devices, can be used for the deposition of metals and dielectrics and moreover can obtain high resolution images by scanning electron microscopy. Features: Dual beam (focused ion beam – scanning electron microscope); Ga ion beam 30 kV, diameter min. 7 nm and 30 kV electron beam, min. 1-2 nm. Operational since 2005

Raith e-Line 150: Electron beam lithography system

Raman/AFM: Equipamento integrado: espectrômetro Raman confocal + microscópio AFM (atomic force microscope), NT-MDT, Ntegra-Spectra. Raman: lasers He-Ne (632.8 nm) 50 mW e do estado sólido UV (473 nm) 50 mW, resolução ~ 300-450 nm, grades 150 a 1800 l/mm, detetor CCD. Operacional desde 2006

Integrated equipment: Confocal Raman spectrometer + AFM (atomic force microscope), NT-MDT, Ntegra-Spectra. Raman: 50 mW He-Ne (632.8 nm) lasers and 50 mW solid state UV (473 nm), resolution ~ 300-450 nm, grids 150 to 1800 l/mm, CCD detector. Operational since 2006.

Karl Zuss – MJB4:Double-sided mask aligner, allows lithography on both sides of Si wafer, resolution min. 0.5μm. Operational since 2009.

Karl Zuss – MJB3: Mask aligner with 1μm minimum resolution .

Plasma deposition systems:

Reator CVD: Reator CVD horizontal, com deposição de filmes por vapores químicos (CVD): Si/Ge poli-cristalino e epitaxial, Si3N4 e outros, em substratos de Si. Operacional desde 2004.

PECVD:  Oxford NGP-80

PECVD: Si, Ge, SiO2 e Si3N4;

Sistemas de corrosão por Plasma: Oxford Plasma-100, ICP (Si, Ge, SiO2 e Si3N4)

Sistemas de metalização à vácuo: Feixe de elétrons, térmicos e  sputtering;

Sistemas de tratamento térmico: Tratamentos térmicos rápidos (RTP), Fornos de oxidação de 3 e 4”.

Secagem por ponto crítico: CPD tousimis 951;

Capelas Químicas: Limpeza, RCA, Corrosão:  Reator KOH: para componentes microeletromecânicos.

Implantador de íons: (para lâminas de 3” de diâmetro)

Montagem/encapsulamento: Metalização eletrolítica e química, Solda de fita e fio de ouro e Estação de adesão e micro-posicionamento

Caracterização Óptica e morfológica: Elipsometria, Perfilometria, Microscopia Óptica, Análise espectral (transmissão e reflexão);

FTIR:

Caracterização elétrica: Caracterização DC completa; Caracterização RF (45 MHz-75 GHz) e Analisador de parâmetro de rede.