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ICP-RIE

photo ICP_cc

Equipamento: Oxford Plasmalab 100 (link externo) – Recursos: Fapesp (Proc: 2012/17610-3)

Responsável: Fred Cioldin

Co-Responsável:

Descrição:  O ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) é um equipamento para corrosão seca assistido por plasma. Atualmente o equipamento instalado no CCS é utilizado para corrosão de materiais Si e SiNx. A característica principal do ICP com relação a os outros reatores de plasma é a adição de um indutor para melhorar a densidade do plasma, permitindo altas taxas de corrosão e melhor anisotropia. Esse equipamento conta ainda com uma pré-câmara de transferência da amostra para a câmara principal e  é equipado com refrigeração traseira do wafer assistida por He que permite o controle da temperatura do eletrodo.

Recursos disponíveis:

Gases fluoretados:  SF6, C4F8, CF4, CHF3;

Outros Gases: Ar, O2, H2, CH4, Cl2;

Materiais: Si, SiNx, SiOx;

Restrições: Ver regra de uso;

MSDS: C4F8, CF4, CH4, CHF3, CL2

Outras informações: Plasma-100

Notícias

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