Após a evaporação do alumínio na face inferior da lâmina é realizado um recozimento para reconstrução das camadas e redução de defeitos, afim de regularizar a superfície da amostra.

A sinterização dos contatos de alumínio é realizada atravé de um recozimento das estruturas metal/semicondutor ou metal/óxido/semicondutor em baixa temperatura de aproximadamente 450 °C e em ambiente inerte de N₂ e de H₂.

Esta etapa serve para reestruturar as camadas e reduzir os defeitos nas interfaces das estruturas, que podem ter sido gerados durante a evaporação. Estes defeitos podem ser cargas superficiais de ligações incompletas nas interfaces. Estas ligações incompletas são saturadas pelo hidrogênio presente no ambiente.

No CCS/Unicamp, a fonte de hidrogênio no ambiente de sinterização é composta pelo fluxo de vapor d'água (que provém do borbulhador) e o fluxo de gás N₂.

• Forno Convencional, T = 440 °C
• Entrada em N₂, > 3 minutos;
• Gás Verde (Forming Gas [N₂ + H₂] 0,92:0,08) = 30 minutos;
• Saída em N₂, > 3 minutos;