CPD

Equipamento: Tousimis 931a

Responsável: Fred Cioldin

Co-responsável:

Recursos:

photo ICP_cc

Descrição

O secador Tousimis 931ª permite a secagem de amostras por ponto crítico.
Isso permite que estruturas 3D sejam secas sem risco de dano.
Para isso, o sistema utiliza CO₂ líquido, ao aumentar a pressão até próximo de 1500 psi e a temperatura até 40°C, o dióxido de carbono atinge seu ponto crítico, onde sua fase gasosa e líquida coexistem e não existe distinção, possibilitando a secagem da amostra sem causar nenhum dano.

Recursos

Gases disponíveis: CO₂ líquido e isopropanol.

Segurança

O equipamento utiliza alta pressão e gás liquefeito.

O usuário deve estar sempre presente durante o processo.

Verificar se a câmara está bem fechada.

O manual do equipamento encontra-se embaixo do mesmo.

Exigências para uso

Conversar com o responsável antes de agendar o treinamento ou processo.

Agendar o processo no sistema de agendamento.

Antes de começar o primeiro processo fazer limpeza orgânica antes de inserir a amostra no equipamento.

Qualquer problema durante o processo, contatar o responsável imediatamente.

Após o processo:

  • Esperar o sistema terminar a rotina de despressurização da câmara
  • Checar se a amostra está seca.

Contatar o responsável se o gás do cilindro acabou.

Restrições de materiais

Somente a utilização de isopropanol é permitida.

Metais incompatíveis com processo CMOS não são permitidos (ouro, cobre, cromo, carbono, etc.)

Polímeros.

ECR-CVD

Equipamento: Electron Cyclotron Resonance Chemical Vapor Deposition

Responsável: Audrey Silva

Co-responsável:

Recursos:

Descrição

O ECR-CVD (Electron Cyclotron Resonance Chemichal Vapor Deposition) é utilizado para deposições assistidas por plasma de alta densidade, a alta densidade de plasma é estabelecida pela fonte ECR de (2,54 GHz).
As deposições são executadas em temperatura ambiente (20°C).
O ECR-CVD é utilizado para a deposição de nitreto de silício, óxido de silício, silício amorfo.

Recursos

Gases: Ar, SiH₄, H₂, N₂, SF₆, O₂

Segurança

Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.

Restrições de materiais

São permitidos na câmara apenas mateiras compatíveis com CMOS.

A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (ouro, polímeros, etc) deve passar pela aprovação do técnico responsável.

Restrições de parâmetros

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável.

Horizontal LPCDV

Equipamento: Horizontal Low Pressure Chemical Vapor Deposition

Responsável: Audrey Silva

Co-responsável: Fred Cioldin

Recursos:

Descrição

O sistema de LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition), é um reator do tipo forno convencional aquecido por resistência elétrica.
A deposição dos filmes sólidos é executada através da energia térmica fornecida pela resistência aos reagentes gasosos em temperaturas de aproximadamente 800°C e em baixa pressão (0,25 a 2,0 Torr).
É utilizado para a deposição de nitreto de silício e silício poli-cristalino.

Recursos

Gases: SiH₄, SiCl₂H₂, NH₃, O₂, N₂

Segurança

Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.

Restrições de materiais

Apenas wafers de silício são permitidos na câmara.

A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (resistes, metais, filmes depositados, etc.) não será permitida devido a temperatura.

Restrições de parâmetros

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável.

ICP-LAM

Equipamento: Inductively Coupled Plasma

Responsável: Audrey Silva

Co-responsável: Valter Martarello

Recursos:

Descrição

O ICP (Inductively Coupled Plasma) é um equipamento para corrosão seca assistido por plasma.
A característica principal do ICP com relação a os outros reatores de plasma é a adição de um indutor para melhorar a densidade do plasma, permitindo altas taxas de corrosão e melhor anisotropia.

Recursos

Gases: Ar, N₂, SF₆, O₂

Infraestrutura para C₄F₈ (gás não disponível)

Segurança

Os gases utilizados são tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.

Restrições de materiais

São permitidos na câmara apenas mateiras compatíveis com CMOS.

A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (ouro, polímeros, etc) deve passar pela aprovação do técnico responsável.

Restrições de parâmetros

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável

ICP-RIE

Equipamento: Oxford Plasmalab 100

Responsável: Fred Cioldin

Co-responsável:

Recursos: FAPESP proc. 2012/17610-3

photo ICP_cc

Descrição

O ICP-RIE (Inductively Coupled Plasma Reactive Ion Etching) é um equipamento para corrosão seca assistido por plasma.
Atualmente o equipamento instalado no CCS é utilizado para corrosão de materiais Si e SiNx.
A característica principal do ICP com relação a os outros reatores de plasma é a adição de um indutor para melhorar a densidade do plasma, permitindo altas taxas de corrosão e melhor anisotropia.
Esse equipamento conta ainda com uma pré-câmara de transferência da amostra para a câmara principal e é equipado com refrigeração traseira do wafer assistida por He que permite o controle da temperatura do eletrodo.

Recursos

  • Gases fluoretados: SF₆, C₄F₈, CF₄, CHF₃
  • Outros Gases: Ar, O₂, H₂, CH₄, Cl₂
  • Materiais: Si, SiNx, SiOx

Segurança

Os gases utilizados no ICP são tóxicos, asfixiantes, inflamáveis e corrosivos.
Em caso de emergência favor contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de corrosão.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.

O limite máximo de agendamento por dia é de 4 horas seguidas e 10 horas por semana por usuário.

Um ciclo de limpeza deve ser realizado após cada corrosão respeitando os materiais:

  • Materiais orgânicos: O₂ e SF₆
  • Materiais inorgânicos baseados em Si: SF₆

É responsabilidade do usuário incluir o tempo de limpeza em seu período de
agendamento.

Checar a orientação do wafer: posicionar o chanfro à esquerda junto aos parafusos.

Após finalizar o uso do equipamento:

  • Faça LOG OUT.
  • Informe ao técnico responsável do término do processo para que ele possa esvaziar a linha de gases perigosos (CH4, H₂, Cl₂).

Restrições de materiais

Metais com alta pressão de vapor não são permitidos. (índio, chumbo, TiO, etc.)

Metais incompatíveis com processo CMOS (ouro, cobre, cromo, etc.)

Alguns metais são permitidos – favor verificar com o técnico responsável.

Se for necessário corroer vidro com impurezas, contatar o responsável.

Se utilizar um wafer de 4 polegadas completamente coberto com resite, favor remover de 5 à 10 mm das bordas.
Isto é necessário para que o wafer possa ter um melhor contato térmico com seu porta wafer.

Apenas wafers de 4 polegadas podem ser inseridos para corrosão ou usados como suporte para pequenas amostras (carrier wafer).

  • Cacos necessitam ser colados com pasta térmica em carriers wafers de 4 polegadas.
  • Verifique a espessura do carrier wafer antes de fazer qualquer corrosão para evitar que este se estilhace dentro da câmara.

Restrições de parâmetros

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável

Não alterar a temperatura das receitas.

MEV

Equipamento: MEV Hitachi S-3400N

Responsável: Raluca Savu

Co-responsável: Andrei Alaferdov

Recursos:

Descrição

Microscópio eletrônico de varredura.

Segurança

O Microscópio eletrônico de varredura (MEV) é um equipamento altamente sensível que utiliza alta tensão, portanto é proibido mexer em qualquer parte elétrica, mecânica ou de software.

É proibido usar pendrives no computador do microscópio, a não ser autorizado previamente pelos responsáveis.
As imagens decorrentes das sessões de MEV serão colocadas na área “Transferências” e poderão ser retiradas em qualquer outro computador disponível no Centro (Sala de Computadores).

Exigências para uso

  • O MEV trabalha em alto vácuo, portanto é obrigatório o uso de luvas para evitar contaminações da câmara e das amostras. Elas impedem que você deixa suas impressões digitais, gordura ou qualquer outro tipo de impurezas no equipamento ou nas peças utilizadas para carregar as amostras (suportes, mesas etc.);
  • O limite máximo de uso de equipamento por usuário é de 4 horas seguidas por dia e 10 horas por semana. Caso seja necessário maior tempo de uso, entrar em contato com o responsável.
  • É obrigatório o preenchimento do caderno de anotações com os parâmetros utilizados durante as sessões de microscopia, especificando-se detalhes como: câmara de carregamento (principal ou load-lock), tensão, corrente, pressão, distância de trabalho, aberturas e material observado. No caso de haver situação extraordinária durante uso, exige-se anotação no caderno com justificativa de uso;
  • Para fixar as amostras no suporte, deve-se utilizar apenas fita de carbono ou fita de cobre. Para retirada de amostra/fita, evita-se usar pinça de metal para não danificar a superfície do suporte. É recomendado usar pinça de plástico;
  • No caso de carregamento de amostra pela pré-câmara (load-lock) mantenha a guia da amostra posição horizontal e carregue-a devagar para evitar danificar a mesa do microscópio;
  • O MEV está previsto com um conjunto de aberturas que vão de 0 a 4. Necessitando trocar as aberturas, faça-o gradualmente, alinhando e centrando as lentes para cada posição;
  • Se for necessário alterar a configuração e o modo padrão, deve-se voltar às configurações iniciais após uso;
  • Após termino da sessão, é obrigatório:
  • deixar o equipamento na abertura 0;
  • deixar a mesa na posição padrão — câmara principal ou pré-câmara;
  • deixar o equipamento em vácuo;
  • limpar os suportes adequadamente, removendo completamente todo material usado durante a sessão (fita de carbono, caneta, etc.);
  • deixar a mesa de microscópio limpa;
  • guardar todas as ferramentas, porta amostras e demais objetos em seus devidos lugares (caixas, gavetas, etc.). É proibido retirar qualquer material (suportes, pinças, fitas, etc.) para fora da sala do MEV.

Restrições de materiais

É proibido usar amostras ferromagnéticas ou antiferromagnéticas.

Se a amostra estiver na forma de pó, verificar se ela está bem fixada e compactada para evitar contaminação da câmara e bomba de vácuo.

Restrições de parâmetros

Antes de carregar a amostra, verificar:

  • a posição da mesa do microscópio, que deve estar na posição adequada para carregamento pela câmara ou pré-câmara;
  • a altura da superfície da amostra usando os medidores para câmara e pré-câmara; isso evitará danificar a coluna do microscópio durante o carregamento da amostra.

Mantenha a distância de trabalho de no mínimo 5 mm; distâncias menores que isso podem levar a algum choque mecânico amostra-coluna, o que levará a danos no equipamento.

Outros

Salvar as imagens obtidas somente na pasta “Usuários,” no Desktop.
É proibido salvar quaisquer outros documentos no computador do equipamento.

Network Analyzer

Equipamento: Analisador Vetorial HP8510C;
sistema de ponterias Cascade Microtech modelo Summit 9000;
fonte para polarização de dispositivos modelo HP6626A

Responsável: Emilio Carlos Bortolucci

Co-responsável:

Recursos:

Descrição

O Sistema de medidas de dispositivos em altas frequências é composto por um Analisador Vetorial modelo HP8510C (fabricante atual Keysight) e sistema de ponteiras da Cascade Microtech modelo Summit 9000.
O HP8510C está instalado para operar com varredura de frequências entre 45 MHz e 50 GHz acoplados a pontas do tipo G-S-G com “pitch” de 150 µm (modelo ACP-40, ponta de Cu-Be).
Para calibração “on-wafer” está disponível ISS e “contact substrate” em alumina para uso em modo de calibração LRM.
Para polarização de dispositivos com a fonte DC modelo HP6626A as seguintes tensões são disponíveis:

  • Tensão e corrente da faixa baixa 25 W: 0 a 7 V, 0 a 15 mA
  • Tensão e corrente da faixa baixa 50 W: 0 a 16 V, 0 a 200 mA
  • Tensão e corrente da faixa alta 25 W: 0 a 50 V, 0 a 500 mA
  • Tensão e corrente da faixa alta 50 W: 0 a 50 V, 0 a 1 A ou 0 a 16 V, 0 a 2 A

Para uso via porta do “Test Set” por conector BNC a tensão máxima de trabalho é de 50 V e corrente máxima de 0,5 A.

Recursos

  • kit de calibração “on wafer” ISS modo LRM
  • kit de calibração 2.4 mm
  • kit de calibração 1.85 mm
  • kit de calibração 7 mm
  • cabos diversos
  • duas pontas G-S-G modelo ACP-40

Com os conectores e cabos disponíveis a frequência de operação máxima garantida é de aproximadamente 30 GHz.
É possivel seu uso mediante adaptadores e kit de calibração SMA (emprestados).

PECVD

Equipamento: Oxford NGP-80

Responsável: Fred Cioldin

Co-responsável: Audrey Silva

Recursos: CNpQ proc. 550504/2012-5

https://www.ccs.unicamp.br/novosite/wp-content/uploads/2012/10/2014-05-26-11.41.00.jpg

Descrição

O PECVD (Plasma Enhanced Chemichal Vapor Deposition) é utilizado para deposições assistidas por plasma.
Os precursores gasosos são inseridos numa câmara com baixo vácuo, e através da energia proveniente do plasma, dissociam-se e reagem na superfície da amostra depositando o filme fino.
O PECVD é utilizado para depositar Nitreto de Silício, Óxido de Silício e Oxinitreto de Silício.

Recursos

  • Gases fluoretados: CF4
  • Outros Gases: SiH4 (100%), NH3, N2O, N2
  • Materiais: SiNx, SiOx, SiOxNy
  • Taxa de deposição: 150 a 900 Å/min

Segurança

O PECVD é utilizado a temperaturas de até 400°C.
Cuidado ao carregar e descarregar a câmara.

Os gases utilizados são pirofóricos, tóxicos e oxidantes.
Em caso de emergência contatar o responsável.

O usuário deve estar sempre presente na sala durante a operação.

Exigências para uso

Preencha o logbook com a receita utilizada e tempo de deposição.
Adicione qualquer informação relevante ou peculiaridades ocorridas ao longo do processo.

O ciclo de limpeza deve ser realizado após cada deposição.
É responsabilidade do usuário incluir o tempo de limpeza em seu período de
agendamento;

Após finalizar o uso do equipamento:

  • Faça LOG OUT.
  • Informe ao técnico responsável do término do processo para que ele possa esvaziar a linha de gases tóxicos.

Restrições de materiais

Apenas wafers de silício são permitidos na câmara.

A utilização de amostras contendo qualquer outro tipo de material (resistes, metais, filmes depositados, etc.) deve passar pela aprovação do técnico responsável.

Restrições de parâmetros

Apenas executar receitas padrão.

Não alterar qualquer uma das receitas sem aprovação prévia do técnico responsável.

Raith E-Line

Equipamento: Sistema de litografia por feixes de elétrons Raith eLine Plus

Responsável: Emilio Carlos Bortolucci

Co-responsável: Fred Cioldin

Recursos: FAPESP proc. 09/54064-4

https://www.ccs.unicamp.br/novosite/wp-content/uploads/2012/09/Electron-Beam-Lithograpy-300x199.jpg

Comitês   Plano de Gestão

Descrição

O Sistema de Litografia por Feixes de Elétrons eLine comporta a escrita em substratos de silício, vidro, GaAs e outros até 2″ de diâmetro, com tensão de aceleração variável entre 100V e 30 kV com canhão tipo TFE.

Opera tanto no modo de escrita como no modo de imageamento.
O tamanho da sonda é de 2 nm (p/ 20 kV).
Possui abertura selecionáveis de 7 µm, 10 µm, 15 µm, 20 µm 30 µm, 60 µm e 120 µm, permitindo selecionar correntes de feixe entre 1 pA a 2 nA.
O sistema de deflexão do feixe permite a seleção de campos entre 1 µm e 2 mm.
A metrologia de movimento da mesa do porta substrato é controlada por interferometria a laser com resolução de 2 nm.
O eLine conta com dois detetores de elétrons retroespalhados, um convencional e outro opera no modo “Inlens,” permitindo trabalhar com deteção de marcas de alinhamento para escritas multiníveis.
As operações do sistema de vácuo são automatizadas e o equipamento conta com ante-câmara (loadlock).
Possui software de edição de ‘layouts’ instalado e aceita formatos GDSII, CIF, DXF, ASCII, BMP.

Recursos

Ambiente para preparação e processamento de amostras com “spinner”, “hot plate” e capela química.

Resist PMMA 950k (ARP-679-03) e respectivo revelador/“stopper.”

RTP

Equipamento: Forno RTP Jipelec JetFirst 100

Responsável: Fred Cioldin

Co-responsável: Audrey Silva

Recursos:

Descrição

O forno de recozimento rápido Jipelec Jetfirst permite processos de annealing, ativação de dopantes e oxidação em pressão ambiente, com alta rampa de aquecimento.
O sistema utiliza lâmpadas de tungstênio-halogênio para obter rampas de até 50°C/s com temperatura máxima de até 1000°C, a temperatura é controlada através de termopares e pirômetros.

Recursos

Gases disponíveis: N₂ , O₂ e forming gas.

Segurança

O equipamento utiliza alta tensão e alta corrente, portanto tomar cuidado ao operar o sistema.

O usuário deve estar sempre presente durante o processo.

Verificar se a exaustão do equipamento está ligada.

Exigências para uso

Conversar com o responsável antes de agendar o treinamento ou processo.

Agendar o processo no sistema de agendamento.

Solicitar a troca de gás ao responsável ou para a manutenção.

Antes de começar o primeiro processo:

  • Fazer limpeza RCA ou Orgânica antes de inserir no equipamento.
  • Checar se há pressão de água para refrigerar.
  • Testar Cooling do sistema (Ar comprimido e água).
  • Testar fluxo de gás.

Qualquer problema durante o processo, contatar o responsável imediatamente.

Checar gráficos durante o processo.

Após o processo:

  • Esperar o sistema terminar a rotina de cooling das lâmpadas a
  • Abrir a câmara com temperatura menor que 70°C.
  • Desligar a exaustão.
  • Desligar a água.
  • Fechar os gases.
  • Desligar o equipamento.
  • Fechar o ar comprimido.

Restrições de materiais

Metais não refratários.

Metais incompatíveis com processo CMOS não são permitidos (ouro, cobre, cromo, carbono, etc.)

Polímeros.

Sputtering

Equipamento: Sputtering Ulvac MCH-9000

Responsável: Fred Cioldin

Co-responsável: Eduardo Zambotti

Recursos: doação Motorola

Descrição

O sputtering é um equipamento para depositar filmes finos utilizando plasma.
O Ulvac MHC-9000 instalado no CCS Nano é do tipo DC/RF Magnetron Reativo, que pode utilizar fontes DC para depositar metais e RF para depositar isolantes ou metais ferromagnéticos.
O equipamento conta com duas pré-câmaras e quatro câmaras de processo, onde é possível instalar quatro alvos diferentes.

Recursos

Alvos: Al, Ti, Ta, NiPt(97%/3%), Si.

Gases Reativos: N₂ e O₂.

Segurança

O equipamento utiliza alta tensão e alta corrente, portanto não encostar no equipamento enquanto estiver com o plasma ligado.

O usuário deve estar sempre presente durante o processo.

O sistema será desligado em todos os feriados prolongado, o processo para regenerar as bombas criogênicas demora de 2 a 3 dias.

O sistema será operado pelo responsável.

Exigências para uso

Conversar com o responsável antes de agendar o processo.

Agendar no sistema de agendamento.

Fazer limpeza RCA ou orgânica antes de posicionar as amostras nos suportes, exceto processos de lift-off.

Para fazer processos Lift-off, fazer o hardback antes do processo de sputtering.

Restrições de materiais

Metais com alta pressão de vapor não são permitidos. (índio, chumbo, etc..)

Metais incompatíveis com processo CMOS não são permitidos (ouro, cobre,cromo, carbono)

Alguns polímeros não são permitidos, contatar o responsável.

Restrições de parâmetros

O sistema possui apenas quatro alvos instalados por vez.
Consultar o responsável para a viabilidade de troca.

Alvos fixos: Al e Ti.

RIE

Equipamento: Reactive Ion Etching

Responsável: Valter Martarello

Co-responsável: Audrey Silva

Recursos:

Descrição

Equipamento que efetua corrosão por plasma, utilizando gases e radiofrequência (RF) em ambiente de alto vácuo.

Recursos

Processos: corrosão de Si e SiNx.

Gases Ar, O₂, SF₆, N₂ e Cl₂.

Bomba de vácuo, Neslab e trocador de calor, alocados fora do laboratório, em sala específica para a finalidade de apoio ao RIE.

Segurança

Quando o Cl₂ e o SF₆ forem usados, utilizar máscara e manter exaustor ligado ao abrir a câmara após o processo para a retirada das amostras submetidas ao plasma.

Exigências para uso

O agendamento deve ser feito pelo usuário, mas o RIE será operado somente pelos responsáveis técnicos.

Restrições de materiais

Não usar materiais que sejam contaminantes ou incompatíveis com a tecnologia CMOS.

Restrições de parâmetros

O RIE será usado com pressões de até 100 mTorr e potência de RF até 1000 W.

Dual FIB: FEI Nanolab 200 – Processo FAPESP 04/09324-4 (PROEM)

O sistema FIB-SEM é considerado como uma ferramenta essencial para fabricação das novas gerações de MEMS e NEMS (Micro and Nano Electrical Mechanical Systems), pois esse sistema permite gravar padrões na superfície diretamente, sem o uso de máscaras, possibilitando a prototipagem rápida de dispositivos, pode ser usado para a deposição de metais e dielétricos e além disso pode obter imagens de alta resolução através de microscopia eletrônica de varredura. Características: Feixe duplo (focused ionbeam – scanningelectronmicroscope), contend feixe de ions Ga 30 kV, diametro mín. 7 nm e feixe de eléctrons 30 kV, mín. 1-2 nm. Operacional desde 2005

Equipamento integrado: espectrômetro Raman confocal + microscópio AFM (atomic force microscope), NT-MDT, Ntegra-Spectra. Raman: lasers He-Ne (632.8 nm) 50 mW e do estado sólido UV (473 nm) 50 mW, resolução ~ 300-450 nm, grades 150 a 1800 l/mm, detetor CCD. Operacional desde 2006
Fotoalinhadora de dupla face, permite fazer litografia em dois lados de wafer de Si, resolução mín. 0.5 μm. Operacional desde 2009.
Fotoalinhadora com resolução de até 1 um.
Limpeza, RCA, Corrosão: Reator KOH: para componentes microeletromecânicos.
Eaton GA4204

Energia de extração, 20 keV; tensão de aceleração de até 200 kV; energias do feixe de até 200 keV; 600 keV para espécies triplamente ionizadas, fonte de espécies sólida e gasosa, diversas espécies (Ar, H, He, N, B, P, Si, As, Se, Mg e O); substratos de até 3 polegadas; e porta substrato refrigerado.

Metalização eletrolítica e química, Solda de fita e fio de ouro e Estação de adesão e micro-posicionamento